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13909261884

HJ8736EW

HJ8736 N溝道MOSFET

HJ8736具有導(dǎo)通電阻低、電流能力強(qiáng)特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用移動設(shè)備的電源管理器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動、電池供電系統(tǒng)等環(huán)境中。

所屬分類: NMOSFET管

產(chǎn)品概述

　　產(chǎn)品特點(diǎn)有：

　　漏源電壓 VDDS 30V

　　連續(xù)電流 ID 18A

　　極低的導(dǎo)通電阻 RDS(ON)4.8mΩ

　　耗散功率 2.5W

　　采用CSOP08B表貼全密封外殼封裝

關(guān)鍵詞:

驅(qū)動

封裝

形式

rds

功率

2.5w

vdds

引出

采用

外殼

上一個(gè)

HJ540 NMOSFET晶體管

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無

HJ8736 N溝道MOSFET

零售價(jià)

0.0

元

市場價(jià)

0.0

元

瀏覽量:

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產(chǎn)品編號

所屬分類

NMOSFET管

型號:

HJ8736

驅(qū)動持續(xù)電流(IC/A):

擊穿電壓(VCEO/V):

工作溫度（TA）:

-55～+125

關(guān)鍵參數(shù):

Ron:0.2mΩ

封裝（Package）:

CSOP08B

產(chǎn)品概述:

HJ8736具有導(dǎo)通電阻低、電流能力強(qiáng)特點(diǎn)

數(shù)量

庫存:

關(guān)鍵詞:

驅(qū)動

封裝

形式

rds

功率

2.5w

vdds

引出

采用

外殼



產(chǎn)品描述

參數(shù)

　　產(chǎn)品特點(diǎn)有：

　　漏源電壓 VDDS 30V

　　連續(xù)電流 ID 18A

　　極低的導(dǎo)通電阻 RDS(ON)4.8mΩ

　　耗散功率 2.5W

　　采用CSOP08B表貼全密封外殼封裝

未找到相應(yīng)參數(shù)組，請于后臺屬性模板中添加

上一個(gè)

HJ540 NMOSFET晶體管

下一個(gè)

無

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產(chǎn)品信息

產(chǎn)品編號

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產(chǎn)品編號:

HJ8736 N溝道MOSFET

零售價(jià): 0.0 元元

* 期望單價(jià)

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HJ8736 N溝道MOSFET

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